ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов

Микропорошок из зеленого карбида кремния обладает чистотой SiC в диапазоне 98,5%-99%, с более низким содержанием примесей оксида железа и свободного углерода, чем черный карбид кремния. При сохранении твердости по шкале Мооса 9,5, его главное преимущество заключается в превосходных свойствах самозатачивания. В процессе шлифовки он непрерывно генерирует новые режущие кромки, что приводит к более высокому качеству поверхности обрабатываемой детали. Подходит для высокоточных операций обработки, таких как шлифовка твердосплавных инструментов, прецизионная полировка оптических компонентов и резка полупроводниковых пластин, он предлагает размеры частиц от крупнозернистого F60-F240 до ультратонкого порошка F400-F1200. Соответствует международным стандартам размера частиц JIS и может быть изготовлен с заданным соотношением размеров частиц. Каждая партия поставляется с отчетом об авторских правах (COA) и поддерживает повторную инспекцию сторонней организацией SGS, что обеспечивает бесперебойное соблюдение экспортных требований. В секторе прецизионной обработки зеленый карбид кремния неизменно превосходит черный карбид кремния: меньшее количество примесей предотвращает окисление и изменение цвета заготовки, а высокие самозатачивающиеся свойства снижают частоту замены полировальных расходных материалов, повышая эффективность обработки. Продолжается рост в фотоэлектрической, оптической и инструментальной отраслях, что стимулирует спрос на микропорошок зеленого карбида кремния. Развитые трансграничные каналы поставок позволяют стабильно обслуживать предприятия прецизионной обработки в русскоязычных регионах, помогая зарубежным высокотехнологичным шлифовальным предприятиям повышать качество и эффективность.

Сверхчистый графитовый порошок 5N обеспечивает чистоту углерода 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm. На протяжении всего процесса он герметично упакован в высокочистый аргон, что изолирует его от внешних загрязнений, делая его высокочистым углеродным материалом, специально разработанным для силовых полупроводников, высокотехнологичной металлургии, прецизионных пресс-форм и лабораторных научных исследований. Значительно снижено содержание микроскопических примесей, и в условиях высоких температур не выделяются летучие загрязняющие вещества, что гарантирует отсутствие помех при обработке полупроводниковых пластин или подготовке монокристаллических тиглей. Широкий диапазон размеров частиц позволяет настраивать их в соответствии с требованиями спекания, нанесения покрытий и наполнителей. Каждая партия поставляется с сертификатом анализа (COA) и полным отчетом о элементном анализе GDMS, что обеспечивает полные и отслеживаемые данные о следовых примесях и доступ к надежным каналам независимого тестирования. Графит от природы обладает электро- и теплопроводностью, а также сверхвысокой термостойкостью. Сверхвысокая чистота еще больше расширяет области его применения. В отличие от графита общего назначения 4N, продукция 5N предназначена для передовых применений со строгими требованиями к чистоте. В настоящее время отечественные научно-исследовательские институты и заводы по производству полупроводников постепенно заменяют импортный высокочистый графит продукцией отечественного производства. В то же время спрос на закупку со стороны зарубежных русскоязычных научно-исследовательских институтов и металлургических предприятий продолжает расти. Развитая трансграничная логистика обеспечивает долгосрочные стабильные поставки и способствует глобальному обороту высокочистых углеродсодержащих материалов.

Микропорошок сверхчистого 3C-SiC марки 5N обладает чистотой SiC 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm, а содержание кубической β-фазы составляет ≥99%. Это передовое порошковое сырье для полупроводниковых силовых устройств третьего поколения, сверхточной керамики и высококачественных теплопроводящих материалов. Процесс получения сверхчистого материала значительно снижает содержание тяжелых металлов, кислорода и углерода. Отсутствие загрязнений в процессе высокотемпературного спекания и полировки пластин обеспечивает стабильные электрические характеристики полупроводниковых компонентов. Доступны настраиваемые размеры частиц от микрометров до нанометров, с превосходной дисперсией в сверхтонких наноразмерных порошках, подходящих как для лабораторных исследований и разработок, так и для крупномасштабных передовых производственных линий. Соответственно, стандарты контроля качества модернизированы. Каждая партия включает базовый отчет COA, а также данные масс-спектрометрии GDMS с полным анализом элементов, всесторонне фиксирующие содержание различных примесей. Независимая экспертиза SGS может помочь в процессе проверки. Наша продукция экспортируется за рубеж в соответствии с требованиями законодательства, со стандартизированной упаковкой на всех этапах и стабильно поставляется в русскоязычные регионы, такие как Москва и Санкт-Петербург. С точки зрения развития отрасли, расширение полупроводниковой промышленности третьего поколения продолжает повышать порог чистоты порошков. Обычный карбид кремния 3N и 4N больше не может удовлетворять потребности в подложках для чипов и силовых устройствах. Сверхчистый 3C-SiC 5N, благодаря своей исключительной чистоте и стабильной кристаллической фазовой структуре, стал ключевым расходным материалом для научно-исследовательских институтов и ведущих полупроводниковых компаний, способствуя импортозамещению отечественного высокочистого порошка карбида кремния и одновременно открывая новые трансграничные каналы поставок материалов.